第一部分：基本物理化学定义

  1. 解释 $\Delta G$​ 、​$K_p$ 的物理化学定义

    • $\Delta G$：吉布斯自由能变
    • $K_p$：分压平衡常数

  2. 思考题：其（上述参数）与氢化学的关系与意义？

第二部分：晶体生长原理（分凝、界面与传输）

  1. 推导平衡分凝系数及曲线（即推导 BPS 公式）

    • 目标公式：$K_{eff} = \frac{k_0}{k_0 + (1-k_0)e^{-f\delta/D}}$

  2. 有效分凝系数 $K_{eff}$ 看和什么参数有关？

  3. $K_{eff}$ 的定义及距离（扩散层厚度 $\delta$​ ）是什么？

  4. 思考题：除加强搅拌外还有什么办法使 $K_{eff}$ 趋近于 $k_0$​ ？

  5. 结晶前 $K_{eff}$ 的变化情况是怎样的？

  6. 生长速度 $f$ 与什么参数有关？

  7. ​温度梯度 $G$ 是指哪个温度梯度？ （指固液界面前沿的温度梯度）

  8. 研究固液界面形态的核心原因？

  9. 溶液凝固点变化分析（定性 + 定量）。

第三部分：晶体生长方法与工艺 (Bulk Growth)

  1. 比较 VB（垂直布里奇曼法）和 VGF（垂直梯度凝固法）这两个生长方法的区别，优缺点是？
  2. 根据图 2-10 以及区熔提纯理论，当区熔次数到 14~15 次以上时，分析曲线特性。
  3. 尾端杂质浓度分布与正常定向杂质分布特性有什么不同？分析原因。
  4. 结合 MCZ（磁控拉晶法），为什么可以促成结晶和提高纵向电阻率均匀性？
  5. 不使用 MCZ 之时，提高纵向电阻率的方法？
  6. 如何提高纵向电阻率（工艺手段总结）？

第四部分：外延生长 (Epitaxy)

  1. MOVPE 中源供给系统用高纯 $H_2$ 的原因？
  2. 通过什么途径实现外延层厚度均匀？